Aixtron liefert MOCVD-System für Galliumoxid-Forschung an die Ohio State University
Irena Roht
Aixtron liefert MOCVD-System für Galliumoxid-Forschung an die Ohio State University
Die Ohio State University (OSU) hat sich für ein hochmodernes Metallorganische-Chemische-Gasphasenabscheidungssystem (MOCVD) des Herstellers Aixtron entschieden, um ihre Forschung an Galliumoxid voranzutreiben. Die neue Anlage wird im Nanotech West Lab der OSU installiert, einer Einrichtung, die vom Institut für Material- und Fertigungsforschung betrieben wird. Diese Partnerschaft unterstreicht den wachsenden Einfluss von Aixtron auf dem Gebiet der Halbleiter mit ultrabreitem Bandabstand.
Mit dem Close Coupled Showerhead®-System (CCS) von Aixtron können Forscher der OSU hochwertige Galliumoxid- (Ga₂O₃) und Aluminium-Galliumoxid-Dünnschichten auf 100-Millimeter-Substraten herstellen. Die Technologie garantiert gleichmäßige Schichten – eine entscheidende Voraussetzung für die Weiterentwicklung der Leistungselektronik. Diese Zusammenarbeit festigt zudem den Ruf von Aixtron als führenden Anbieter von MOCVD-Lösungen für Materialien der nächsten Generation.
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In den vergangenen drei Jahren haben sich Spitzeninstitutionen weltweit für Systeme von Aixtron entschieden, um ähnliche Forschungsprojekte durchzuführen. Dazu zählen das Massachusetts Institute of Technology (MIT) in den USA, die Universität Cambridge in Großbritannien, die Tsinghua-Universität in China und die RWTH Aachen in Deutschland. Diese Universitäten erforschen Galliumoxid und verwandte Halbleiter mit ultrabreitem Bandabstand wie Aluminiumnitrid (AlN) und positionieren Aixtron damit an der Spitze aufstrebender Halbleitertechnologien.
Während sich viele Wettbewerber auf etablierte Materialien konzentrieren, verschafft Aixtron sich durch seine frühe Investition in Galliumoxid einen strategischen Vorteil. Das Engagement des Unternehmens für Innovation ermöglicht es ihm, die Zukunft der Leistungselektronik mitzugestalten, in der Galliumoxid zunehmend als bahnbrechendes Material gilt.
Die Installation an der OSU markiert einen weiteren Meilenstein für Aixtron bei der Entwicklung von Halbleitern mit ultrabreitem Bandabstand. Da das CCS-System nun in führenden Forschungseinrichtungen im Einsatz ist, baut das Unternehmen seine technologische Führungsposition weiter aus. Dieser Schritt stärkt die Rolle von Aixtron als treibende Kraft hinter Fortschritten in der hocheffizienten Leistungselektronik.
